研究プログラム

ロバストトランジスタプログラム

最新研究成果


2010
発表日 発表者 タイトル 発表雑誌・機関等
2010.8.4 平本俊郎 トランジスタ特性ばらつきについて 日本半導体ロードマップ委員会(STRJ) FEP-WG会議
2010.7.28 竹内潔 TCADを用いたトランジスタのばらつき解析 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 研究会
2010.7.20 角村貴昭 Possible Origins of Extra Threshold Voltage Variability in N-Type Field-Effect Transistors by Intentionally Changing Process Conditions and Using Takeuchi plot 日本応用物理学会誌
2010.6.16 角村貴昭 Analysis and Prospect of Local Variability of Drain Current in Scaled MOSFETs by a New Decomposition Method 2010 Symposium on VLSI Technology 
2010.5.21 角村貴昭 Investigation of Threshold Voltage Variability at High Temperature Using Takeuchi Plot 日本応用物理学会誌
2010.5.13 最上徹 ばらつき可視化によるロバストデバイス設計への挑戦 電子情報通信学会 北陸支部 講演会
2010.5.13 西田彰男 シリコンMOSFETのアトムプローブ解析の現状 電子情報通信学会 北陸支部 講演会
2010.4.26 蒲原史郎 Variation; Key issue of the Advanced CMOS & LSI’s International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications
2010.4.19 竹内潔 LSIの微細化を阻むランダムばらつき問題の現状 日経エレクトロニクス
2010.4.13 最上徹 Perspective of CMOS Technology and Future Requirements Photomask Japan 2010 *the Guest Editorial Team of Proc. of theIEEE
2010.3.17 角村貴昭 プロセス条件依存性によるしきい値ばらつき原因解析 2009年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
2010.3.12 平本俊郎 Variability Research: Accomplishments and Future Directions – a Japanese Perspective DATE Workshop "The Fruits of Variability Research in Europe"
2010.2.21 平岩篤 Statistically accurate analysis of line width roughness based on discrete power spectrum SPIE Advanced Lithography 2010
2010.1.28 竹内潔 設計者目線でのバラツキ理解 厳選LSI設計技術@EDSF2010-超微細化時代のLSI設計と検証ー
2010.1.22 平本俊郎 トランジスタ特性ばらつきの現状と要請 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第117会研究集会