| 発表日 |
発表者 |
タイトル |
発表雑誌・機関等 |
| 2010.1.22 |
鈴木隆之 |
La酸化物及びY酸化物キャッププロセスによるHfO2膜結晶構造の変化 |
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ (第15回研究会) |
| 2010.1.22 |
杉田義博 |
希フッ酸溶液処理によるHf系高誘電率ゲート絶縁膜にドープした希土類酸化物のフッ化とそのMOS-FETプロセスへの影響 |
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ (第15回研究会) |
| 2010.1.22 |
諸岡哲 |
High-k膜中へのMgO拡散を目的にしたアニールプロセスがVfbシフト量に及ぼす影響 |
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― |
| 2010.1.22 |
佐藤基之 |
(100), (110)基板上 High-k/Metal ゲートスタックの1/ f ノイズ特性 |
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ (第14回研究会) |
| 2010.1.21 |
松木武雄 |
Poly-Si/TiN/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動 |
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会 |
